MRAM
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- MRAM; Magnetoresistive RAM; 자기저항 메모리; 강자성 메모리
- 자성체의 자화 방향에 따라 달라지는 전기저항으로 0과 1을 저장하는 비휘발성 메모리
- 셀의 핵심은 MTJ(Magnetic Tunnel Junction, 자기터널접합)다
- 고정층(Pinned Layer) — 절연막 — 자유층(Free Layer)의 3층 구조
- 두 자성층의 자화가 같은 방향이면 저항이 낮고(0), 반대면 저항이 높다(1)
- 이 현상을 터널 자기저항(TMR) 효과라 한다
- 토글 MRAM : 배선에 전류를 흘려 만든 자기장으로 자유층을 뒤집는다. 미세화할수록 필요한 전류가 커져 한계가 있다
- STT-MRAM(Spin Transfer Torque) : 스핀 편극된 전류를 직접 흘려 자화를 뒤집는다. 전류가 작아 현재 주류다
- SOT-MRAM(Spin Orbit Torque) : 읽기·쓰기 경로를 분리해 더 빠르고 내구성이 높다
- 비휘발성이면서 SRAM 에 가까운 속도를 낸다
- 쓰기 내구성이 사실상 무제한(10¹⁵회 이상)
- 리프레시가 필요 없어 대기 전력이 거의 0 이다
- 방사선에 강해 우주·항공용으로 쓰인다
- 집적도와 단가가 걸림돌이다. DRAM 을 완전히 대체하지는 못했다
- 임베디드 플래시(eFlash)를 대체하는 eMRAM 으로 양산되고 있다
